12月15日下午，化學化工學院王來國副教授在教學樓C-310作了一場題為“幾種納米復合氧化物阻變器件的原子層沉積制備及其存儲特性和憶阻功能的研究”的學術講座，2016級和2017級材料化學專業部分同學參加了此次講座。

王博士從信息存儲材料的分類及目前的研究現狀出發，引出下一代非易失性存儲器的有力競爭者——阻變存儲器（RRAM），并對其結構構造、信息存儲機理、研究現狀、發展瓶頸進行了講解。報告主要介紹了原子層沉積技術制備幾種新型納米復合氧化物RRAM器件的方法，對這幾種RRAM器件的工藝參數、微結構與存儲性能之間的關系進行了深入地講解，在此基礎上對最優化的器件性能的阻變機制進行了闡釋。報告重點就兩種HfO₂基的雙層憶阻器件及其在生物神經突觸功能模擬，包括神經突觸的非線性傳輸性能、可塑性以及學習記憶行為等方面，進行了深入淺出的闡述。最后，結合其近期的科研工作，介紹了信息存儲研究未來的工作方向和重點。

王來國副教授的學術講座深入淺出、通俗易懂，同時又緊密聯系學科前沿。報告會結束后，還就信息存儲材料的保固時間、信息存取速度、人工智能材料的現狀等問題以及同學們關心的其它問題進行了深入的交流和探討。通過本次學術講座，加深了同學們對材料科學前沿探索的興趣，開闊了材料化學專業同學未來從事科學研究的視野，也對學好本科階段課程的重要性有了更為深刻的認識。